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빠르고 강한 차세대 메모리가 온다

2017년 10월 25일
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정보화 시대의 필수기술 중 하나가 메모리 소자입니다. 현재 사용 되는 메모리 소자에는 DRAM, SRAM, 플래시메모리(Flash memory), 하드디스크(HDD) 등이 있죠.
 
하지만 DRAM과 SRAM은 전원이 꺼지면 메모리가 사라지고, 플래시 메모리(Flash memory)는 쓰고 지우는 횟수의 한계가 존재합니다.
 
특히 컴퓨터에 많이 쓰이는 하드디스크(HDD)는 원판을 회전시켜 정보를 저장하기 때문에 에너지 소모가 크고 속도가 느리다는 한계가 있었습니다.
 
자구벽 기반 자기메모리(Domain wall-based magnetic memory)는 이러한 기존 메모리의 단점을 해결하고자 등장한 메모리입니다. 하드디스크의 기계적인 회전을 전류에 의한 자구벽 이동으로 대체해 전력사용량을 줄였고 충격에 강하죠.
 
문제는 동작 속도가 매우 느려 그동안 사용하기가 어려웠다는 점입니다. 이에 한국과학기술원 김갑진 교수와 고려대학교 이경진 교수 연구팀은 자구벽 메모리의 속도를 획기적으로 향상시키는 기술을 개발했습니다.
 
연구팀은 GdFeCo합금을 활용해 상온에서 2 km/s 이상의 자구벽 속도를 얻는 것에 성공했습니다. 이는 기존의 속도를 크게 뛰어넘는 것으로 자구벽 메모리의 실현을 앞당기는 결과라 할 수 있습니다.
 
자구벽 기반 자기메모리
이제 본격적인
시작입니다
 
“이번 연구를 통해 하드디스크를 뛰어넘는 고집적·저전력·비휘발성을 갖춘 차세대 메모리구현을 앞당길 것으로 기대한다.”
 
- 김갑진 한국과학기술원 교수
 
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